兆易创新GD5F全系列SPI <span style='color:red'>NAND Flash</span>通过AEC-Q100车规级认证
行业新闻

兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证

　　兆易创新GigaDevice宣布，旗下全国产化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通过AEC-Q100车规级认证。该系列包含GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6产品，覆盖1Gb~4Gb容量，从设计研发、生产制造到封装测试所有环节，均采用国内供应链，极大程度上填补了国产大容量车用存储器的空白，全面进入汽车应用领域，并且，兆易创新拥有强大的本地化支持和快速的客户响应能力，加速助力汽车应用的国产化。　　当前，汽车电气化、智能化处于快速发展的态势，激发了车厂对于大容量、高可靠性的存储解决方案的需求。作为在车载应用中存储代码、数据和网络协议的载体，汽车存储芯片正起到越来越关键的作用。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash提供了1Gb~4Gb的选择，在已有的GD25 SPI NOR Flash车载产品基础上进一步扩充容量，可为车载网关、DVR、智能驾舱、Tbox等应用提供大容量、高性价比的解决方案。　　随着车载电子复杂度和空间紧凑的需求增加，“少引脚、小封装”的芯片也逐渐受到车厂的青睐。兆易创新GD5F系列SPI NAND Flash芯片使用成熟的38nm制程工艺，采用WSON8 8mm x 6mm少引脚、小型化封装，在狭小空间内实现大容量的选择；其内置ECC纠错模块，在保留NAND成本优势的前提下，极大提高产品的可靠性；并且在-40℃~105℃的宽温度范围内，实现高达10万次的擦写性能。　　兆易创新汽车产品事业部执行总监何芳女士表示：“随着汽车行业智能化、网联化的演进，与SOTA（软件在线升级），MaaS（出行即服务）得以实现，市场对车载存储的程序和处理的数据量提出更多的新需求。兆易创新从2014年开始布局汽车行业，凭借着多年的经验与积累，旗下38nm GD5F SPI NAND Flash通过AEC-Q100车规级认证，并且实现全产业链的国产闭环。未来，我们将继续聚焦汽车行业需求，关注行业的增量市场，了解细分市场的客户需求，持续在产品的可靠性，优化及升级方面投入，为市场提供更好的产品与服务。”　　目前，兆易创新GD5F全系列SPI NAND Flash均已通过AEC-Q100车规级认证，并且在其久经验证的车规级GD25 SPI NOR Flash基础上，形成了有效的扩展。在Flash存储器领域，兆易创新已实现从SPI NOR Flash到SPI NAND Flash的车规级产品的全面布局，为车载应用的国产化提供丰富多样的选择，这也极大凸显了兆易创新在汽车领域持之以恒的投入和创新。
关键词：
发布时间：2022-09-15 14:27 阅读量：2649 继续阅读>>
<span style='color:red'>NAND Flash</span> 控制器将涨价
行业新闻

NAND Flash 控制器将涨价

根据 TrendForce 集邦咨询旗下半导体研究处调查显示，受限于上游台积电（TSMC）与联电（UMC）等晶圆代工厂产能满载，及下游封测产能紧缺，包含 Phison 与 Silicon Motion 等多间 NAND Flash 控制器厂商无法因应客户的加单需求。这些控制器厂商除暂停对新订单的需求进行报价外，由于目前为 2021 年第一季价格议定的关键期间，届时控制器价格将面临调涨，预期涨幅在 15~20%不等。 尽管当前整体 NAND Flash 市场仍处于供过于求的状态，但控制器产能不足使中低容量的供货紧缺。该元件价格调涨恐将导致固定成本上升，OEM 等采购端也会因此产生压力，可能导致模组厂部分需求较强的容量产品（如 chromebook 所需的 32/64GB）在 2021 年第一季有涨价可能。 而在 SSD 产品方面，供给以三星（Samsung）等原厂为主，大多以 in-house 产品因应，与晶圆代工厂有较为长期的产能安排，当前并未传出涨价或缺货现象。注：图文源自网络，如有侵权请联系删除！
关键词：
发布时间：2020-12-28 00:00 阅读量：1915 继续阅读>>
存储行业终于迎来曙光？明年的<span style='color:red'>NAND Flash</span>市场将一鸣惊人
行业新闻

存储行业终于迎来曙光？明年的NAND Flash市场将一鸣惊人

　　NAND Flash 和 DRAM 市场在 2019 年可能不太景气，但是据相关调查机构研究发现，明年的 NAND flash 和 DRAM 将迎来强势增长。　　IC Insights 预测，2020 年 NAND flash 和 DRAM 将强势成长，销售增幅在 33 种主要 IC 产品中，将分居第一、第三名。　　IC Insights 表示，2020 年预测成长最快 IC 产品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。 今年这两项商品的市场崩盘，2019 年 NAND flash 销售重挫 27%、估计 2020 年将强弹 19%。 2019 年 DRAM 销售狂摔 37%，表现在所有 IC 产品中垫底，2020 年 DRAM 买气将提高 12%。　　图片来源：IC Insights　　明年高密度和高性能的 NAND flash 需求，会因固态运算提高。 行动、数据中心、云端服务器的 5G 联网、人工智能、深度学习、虚拟现实的动能提高，车用和工业市场也持续畅旺，预料将带动 NAND flash 和 DRAM 大幅成长。　　新车的电子组件不断增加，估计将让「汽车 - 特定用途逻辑芯片」(Auto—Special-Purpose Logic)在新一年持续有稳健表现。 实际上，汽车 - 特定用途逻辑芯片和嵌入式微处理器(Embedded MPUs)，过去三年来，都是 IC 产品中成长最快的前五强。　　近年来，汽车 IC 是好几项 IC 产品的成长推手，特别是汽车 - 特定用途逻辑芯片。 能改善车辆表现、提升安全性、增添乘客便利性的电子系统，持续或强制加入新车种。 自动驾驶功能进化和电动车普及，也让新车的平均半导体含量增加。　　而 NAND Flash 在今年第三季度已有回温的势头，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2019 年第三季 NAND Flash 产业营收表现，受惠于年底销售旺季以及因应美中贸易冲突客户提前备货需求增加，激励整体位元出货量成长近 15%，另一方面在供应商库存水位改善下，抑制了以低价对 Wafer 市场倒货的力道，进而带动合约价跌幅收敛，第三季产业营收季成长为 10.2%，达到约 119 亿美元。　　DRAM 方面，根据集邦咨询内存储存研究(DRAMeXchange)调查显示，2019 年下半年 DRAM 需求端的库存已回到较健康的水位，加上部分业者为避免日后可能加征关税带来的负面冲击，在第三季提前备货， 带动 DRAM 供货商第三季的销售位出货量(salesbit)大增，连带推升 DRAM 总产值季成长 4%，达 154.5 亿美元。
关键词：
发布时间：2019-12-05 00:00 阅读量：1813 继续阅读>>
供需失衡态势难止,<span style='color:red'>NAND Flash</span>供应商2019年资本支出年减2%
行业新闻

供需失衡态势难止,NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

集邦咨询：供需失衡态势难止，NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。NAND Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%，总支出规模约为220亿美元。受到供应商扩产计划调整的影响，尽管各供应商已于2018年第四季起量产92/96层3D NAND，但直至2019年底将仅占约32%的位元产出，而64/72层的产出占比则超过50%。供应商制程推进的放缓将导致2019年NAND Flash位元成长仅约38%，相比2018年逾45%的水平明显下降。观察各供应商产能调整，DRAMeXchange指出，三星持续减产2D NAND产能，加上92层制程会消耗更多的厂房空间，2019年运转产能将较2018年底下调，位元产出成长率降至约35%。由于三星全球市占率约3成，三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大。SK海力士、东芝/西数分别有M15以及Fab 6的新厂扩建，但同样受到减产计划或转产旧制程的影响，产出年成长率或低于预期。SK海力士和东芝/西数原先位元产出成长率预估值分别约为50%与40%水平，DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下，以及约35%的水位，以反映今年市场需求的急冻；美光的新加坡新厂2020年才正式量产，因此全年产能几乎维持不变；英特尔除了填满大连厂产能，并无宣布其他扩产规划。美光与英特尔阵营2019年整体位元产出成长接近40%水平，相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。从2019年NAND Flash价格走势来看，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。
关键词：
发布时间：2019-01-11 00:00 阅读量：1627 继续阅读>>
2019年上半年<span style='color:red'>NAND Flash</span>跌势难止 Q1续跌10%
行业新闻

2019年上半年NAND Flash跌势难止 Q1续跌10%

TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)分析，2018年NAND Flash供货商3D 64层产品良率稳定，产出高于预期。然于年底旺季时中美贸易冲突升温、英特尔CPU缺货以及苹果新机出货量不如预期等因素迭加，导致旺季不旺。展望2019年上半年，尽管原厂对扩充产能态度保守，甚至开始抑制扩产，但由于淡季影响，加上市场库存水位仍高，供过于求的情况只会更加显著，预估第一季NAND Flash合约价将再进一步走跌，跌幅约10%。DRAMeXchange指出，在eMMC/UFS方面，年底前中国智能型手机厂商着重去化库存，调整生产规模，因而加深第四季合约价跌幅，而库存去化将持续至2019年第一季，导致eMMC/UFS合约价在第一季恐呈现近10%跌幅。观察SSD的价格走势，2019年第一季笔记本电脑出货量预期将较今年第四季下跌逾15%，尽管PC SSD搭载率与容量持续上升，但仍难遏止总位需求与价格双双走弱，Client SSD合约价料将续跌近10%。 从2019年各项产品的需求评估来看，由于服务器需求成长维持不坠，导致Enterprise SSD市场成为各供货商兵家必争之地，使得价格竞争更加激烈，加上第一季服务器需求同样受淡季影响，预期第一季的跌幅将高于10%。进一步观察通路需求表现，尽管今年模块厂货料供给充足，但因价格不断走低，为避免跌价损失，模块厂有必须出清当月进货的压力，甚至是透过销售次级产品以维持获利，此举反而进一步打乱市场价格行情，相比龙头厂商的获利水平，模块厂今年的获利表现明显下滑，呈现上肥下瘦的情形，预期2019年上半年难以期待有所好转。
关键词：
发布时间：2018-12-19 00:00 阅读量：1509 继续阅读>>
旺季不旺,第三季<span style='color:red'>NAND Flash</span>品牌商营收季增幅仅4.4%
行业新闻

旺季不旺,第三季NAND Flash品牌商营收季增幅仅4.4%

集邦咨询：旺季不旺，第三季NAND Flash品牌商营收季增幅仅4.4%根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，随着64/72层3D NAND生产良率渐趋成熟及供给持续增加，第三季NAND Flash供给稳定成长。但需求面受中美贸易摩擦影响，加上英特尔CPU缺货、苹果新机销售不如预期等因素，导致旺季不旺。自年初以来的供给过剩仍难以消弭，NAND Flash各类产品合约价仍走跌，第三季平均价格跌幅达10-15%。展望第四季，DRAMeXchange分析师叶茂盛指出，由于欧美节庆备货已大致完成、模组厂及各OEM节制库存，以及中美贸易摩擦持续进行，导致需求持续走弱，预计第四季仍维持供过于求态势，各类产品合约价跌幅加剧。而为了维持毛利及减少库存，预期Enterprise SSD及Wafer市场的价格竞争将更为激烈。三星电子(Samsung)尽管整体需求不如预期，但借由在旗舰智能手机市场独占鳌头，以及服务器、PC SSD出货仍持续成长的帮助下，三星第三季的位元出货量仍呈现逾20%的季成长。但由于价格持续走弱，平均单价有近15%的下跌，第三季营收为60.5亿美元，较上季成长2.1%。从制程及产能分析，三星已在消费级SSD产品中采用第五代制程，并将逐步导入到PC SSD、移动设备UFS中。不过，由于供过于求状况显著，三星将放缓转进第五代制程的进度，2019年位元产出仍以64/72层制程为主。SK海力士(SK Hynix)在智能手机出货量以及SSD销售成长带动下，SK海力士位元出货量于第三季仍能维持19%的季成长，然而需求不如预期，无法扭转供过于求局面，致使平均销售单价下跌10%，整体营收来到18.3亿美元，较上季成长6.0%。就产品组合而言，SK海力士销售重心为移动设备市场。随着苹果新机上市以及中国厂商陆续推出全面屏概念手机，并搭载较高规格产品，128GB以上容量出货表现亮眼，并带动位元出货稳健成长。此外，在72层NAND Flash产品的帮助之下，本季SSD出货占比亦超过20%。东芝记忆体(Toshiba)同样受惠于苹果新机与中国智能手机厂商持续提升容量，东芝记忆体在第三季仍保持逾20%的季度位元出货成长，然而在终端产品售价持续走跌的影响下，平均销售单价有近15%的跌幅，使得整体营收最终为32.0亿美元，较上季成长1.9%。从制程及产能方面观察，目前64层3D NAND产出占比已逾70%，3D NAND投片占比也正式突破50%，2019年扩产重点将放在Fab 6的新增产能，但考虑到市场供过于求与制程成熟度，将先以64层为主要投产制程。西数(Western Digital)西数在第三季除继续维持在零售与渠道市场业务的优势以外，高容量UFS产品开始正式出货，并透过优惠价格在SSD市场取得不错表现，季度位元出货量成长28%，但受各类产品价格走跌影响，平均销售单价下滑16%，整体营收来到25.34亿美元，较上季成长7.0%。从产能规划来看，为应对NAND Flash在2018年全年供过于求的状况，西数预计将节制产能及资本支出，因此上半年的扩产以及转产96层3D NAND的进度将略为放缓。美光(Micron)受惠于智能手机旺季效应以及SSD销售成长，美光第三季位元出货成长逾25%。美光在渠道市场仍握有重要影响力，在渠道市场价格跌势偏深的状况下，本季的平均销售单价下滑近15%，整体营收达22.3亿美元，较上季成长14.7%。就产品组合而言，美光致力于减少渠道市场出货占比，发展重心放在新的NVMe及QLC架构SSD产品，以应对高效能及高容量市场需求。而在移动设备市场，美光则持续与中国供应商合作，在第三季已正式量产出货。英特尔(Intel)透过长期耕耘服务器SSD市场，英特尔第三季位元出货量仍有逾10%的成长。尽管目前NAND Flash市场跌势加剧，英特尔平均销售单价仅下跌逾9%，整体营收维持在10.8亿美元，与上一季约略持平。然而获利表现是今年最佳的一季，主要因为第三季出货的SSD有超过半数搭载64层3D NAND元件，进一步压低了成本。在产能方面，大连厂第二期的产能预计于2019年上半年达成满载。此外，英特尔与美光在非易失性存储领域的合作关系告一段落。但英特尔至少到2020年仍能自IMFT厂获得需要的3D XPoint产出。后续除自行开发第三代产品以外，也正在研究自行生产的规划。
关键词：
发布时间：2018-11-20 00:00 阅读量：1583 继续阅读>>
仅需一年多时间见成效,中国Nand Flash进逼,韩国企业警戒
行业新闻

仅需一年多时间见成效,中国Nand Flash进逼,韩国企业警戒

中国的存储半导体什么时候会增长到威胁韩国的程度呢？韩国业界认为，相较DRAM的发展，Nand Flash领域看起来能更快追上韩国。尤其随着美国向中国内存企业福建晋华集成电路施压，更确认了这一发展的趋势。一般认为，比起门坎较高的DRAM，中国企业进入NAND领域会成长得更快。如今美国直接施压，预计DRAM和NAND内存的发展差距会进一步拉大。虽然也有人认为，美国可能会对所有中国内存企业施压，但和从去年福建晋华与美光公司的诉讼问题不同，目前NAND领域并未出现特别的制裁措施，况且美国在找不到理由的情况下，可能也无法任意制裁中国企业。根据韩国科技媒体《DDaily》6日报导，半导体产业人士透露，比起DRAM市场，来自中国的NAND企业威胁已近在眼前。虽然DRAM也得持续保持关注，但目前DRAM要想对韩国企业产生影响还很难，然而NAND要影响韩国企业，可能只剩一年多的时间就看得到。布局中国市场的韩国半导体设备企业相关人士表示，先前设备业界对中国内存半导体市场的期待很大，但最近这样的期待感已经消失。他解释道，DRAM不仅很难讨论量产时期，最近还引发了美国制裁，因此暂时排除了DRAM。至于NAND，相关业界人士表示，一方面长江存储已经加快脚步，预计明年第四季将量产64层3D NAND，另一方面，64层虽然开始生产，但预计占比不会很大，因为长江存储主要目标是快速进入128层量产。长江存储是紫光集团的子公司，韩国的设备产业也透露，紫光集团通过长江存储和集团内其他后期工程专门企业制定双轨战略，长江存储专门负责运转3D，而另一边则运用英特尔芯片专门负责后期工程的生产。长江存储这边已经延迟超过1年，但到明年第三季度，量产的确切时间将就会出现轮廓。整体看来，随着中国的DRAM市场受贸易战影响，未来发展变得难以预测，但紫光集团正在加速开发NAND，日前才投入240亿美元在成都建造新的基地，这意味着紫光集团进入NAND市场将成为「时间之争」。此外，紫光集团目前没有出现诉讼问题，NAND也和军事敏感沾不上边，技术难度也相对较小，发展的阻力不多。
关键词：
发布时间：2018-11-07 00:00 阅读量：1723 继续阅读>>
供需失衡,DRAM与<span style='color:red'>NAND Flash</span>第四季至明年价格双双走跌
行业新闻

供需失衡,DRAM与NAND Flash第四季至明年价格双双走跌

集邦咨询：供需失衡，DRAM与NAND Flash第四季至明年价格双双走跌根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，虽然下半年是产业旺季，但市场持续供过于求，DRAM第三季合约价格季涨幅缩小到仅1~2%，第四季可能反转下跌5%，也不排除跌幅持续扩大的可能性，终结价格连九季上涨的超级周期(super cycle)。而NAND Flash均价在第三季下跌约10%之后，第四季因受中美贸易摩擦波及，预估跌幅将大于第三季，扩大至约10~15%，渠道市场主流3D TLC颗粒合约价跌幅甚至将超过15%。服务器内存价格走弱拖累，2019年DRAM年均价恐下滑15~20%DRAMeXchange指出，下半年削弱DRAM需求的主要原因，包括智能手机硬件规格已难以吸引换机需求，导致旺季出货表现平淡；服务器市场出货动能出现杂音，以及PC/NB市场因Intel平台供货不足而受到冲击等。而观察下半年的供给状况，虽然各大原厂都意识到2019年供过于求的态势确定，因此试图延后或放缓增加资本支出以及新产能扩产计划。但由于1X/1Y制程的比重持续增加以及良率稳定提升，使得今年第三、四季度的位元产出持续增加，尤其以1Gb获利能力最佳的服务器内存为最。因此，服务器内存的价格恐怕很快将开始走弱，连带使得整体DRAM平均销售单价下跌。展望2019年，虽然各家对后续新增产能的计划较为保守，但投片量仍逐渐上升，再加上明年也将持续受惠于1X/1Y制程进入成熟期，DRAMeXchange预计整体供给位元年产出将成长近22%。明年DRAM价格跌幅仍取决于需求端的变化，尤其是服务器的出货以及单机搭载量是否有足够的成长动能。目前预估2019年DRAM价格年均价将下滑约15~20%，但如果服务器以及智能手机需求出现重大修正，价格恐怕会有进一步下滑的风险。3D NAND Flash产能续增，2019年NAND Flash价格续跌25~30%NAND Flash市场同样受消费性电子产品需求不如预期影响，而服务器/数据中心对于Enterprise SSD需求虽然稳定成长，但由于产品毛利较高，成为NAND Flash原厂的必争之地，导致Enterprise SSD价格不断走跌。从供给端来看，2018年下半年由于64/72层3D NAND Flash的良率持续提升与产能扩增，主要供应商皆纷纷上修产出预测。DRAMeXchange也预期，2019年上半年因处于传统淡季，加上中美贸易摩擦风暴持续发酵，因此对智能手机、笔记本电脑以及平板电脑等主要消费性产品的出货量预估都不乐观，价格持续走跌的可能性偏高。2019年下半年NAND Flash原厂是否放缓各自96层转进速度与新产能扩充的脚步，将是影响届时供需缺口的关键因素。以目前各厂商初步规画来看，2019年第四季NAND Flash整体产能会比2018年第四季增加5%，其中，3D产能将会较2018年第四季大幅增加20%。因此，DRAMeXchange认为，NAND Flash业者未来很可能下修原先对于2019年资本支出的规画。
关键词：
发布时间：2018-10-10 00:00 阅读量：1343 继续阅读>>
<span style='color:red'>NAND Flash</span>品牌商Q3持续供过于求,价格将续跌近10%
行业新闻

NAND Flash品牌商Q3持续供过于求,价格将续跌近10%

　　根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，NAND Flash市场在2018年第一季受传统淡季影响，导致市场转为供过于求。第二季随着智能手机需求复苏、中国智能手机厂商提升高容量产品的备货力道，虽位元出货量获得支撑，然而，NAND Flash仍是供过于求，第二季平均价格跌幅达15-20%。　　展望第三季，尽管为传统旺季，但旺季不旺的现象明显，智能手机、笔记本电脑等主要消费性产品出货量的季度成长有限，加上模组厂库存水位高，DRAMeXchange分析师叶茂盛指出，供过于求态势将延续，使得各产品合约价第三季继续下探，NAND Flash价格平均跌幅预估将近10%。　　叶茂盛表示，价格下跌并非完全负面，透过价格适当的调整有利供货商优化产品硬件规格，移动终端市场已迎来一波调升搭载规格的风潮，128GB以上容量的搭载比重提升至逾10%。下半年受到OPPO、vivo及小米等中国厂商可望积极采用uMCP下，将继续推升中高端以上的机种搭载容量于明年上半年往256GB甚至512GB迈进。在SSD市场方面，NAND Flash价格的下调也使高容量服务器产品（8TB、16TB）出货可望增长，而在笔记本电脑方面则可见SSD搭载率随着价格下修而持续上升，搭载容量亦逐渐自128/256GB转往256/512GB。　　三星电子(Samsung)　　第二季在服务器与数据中心需求回稳以及中国智能手机往更高容量拓展的帮助之下，三星的位元出货量再度呈现近15%的季度成长，但受NAND Flash市场供过于求影响，价格持续下探，平均销售单价亦有逾10%的季度下跌，第二季营收为59.3亿美元，较上季成长1.8%。　　SK海力士(SK Hynix)　　同样受惠于中国智能手机厂商第二季的积极备货，以及SSD销售成长，SK海力士位元出货量得以恢复到19%的季度成长，然而市场的供过于求导致价格下跌，平均销售单价下滑9%，第二季营收达17.3亿美元，较上季成长11.8%。随着第二季底开始有苹果新机的备货动能支撑，加上搭载72层3D NAND的SSD产品逐渐发力，预计到年底前72层产品在SK海力士自家Enterprise SSD的出货占比可如预期突破50%。　　东芝记忆体(Toshiba)　　东芝第二季受益于智能手机需求略为回升及SSD销售的支撑，尽管在对模组厂出货方面受到库存偏高影响，出货比重有所调整，但整体位元出货仍达到逾10%的成长，惟因Wafer、SSD、eMMC/UFS合约价均走跌，平均销售单价下跌幅度略高于5%，营收达31.4亿美元，较上季成长3.3%。　　西数(Western Digital)　　在零售业务以及SSD产品的销售助力之下，西数第二季NAND Flash位元出货量季增约5%，但受到渠道产品以及SSD价格双双下滑所致，平均销售单价约下跌4%，第二季NAND Flash营收达23.7亿美元，季增0.3%。值得注意的是，西数特别在法说会中提及，基于市场状况正与东芝讨论明年资本投资规划。西数此举可能意味着扩产脚步将放缓，进而缓解NAND Flash市场进入更为严重供过于求的压力，而这也可能影响其他供货商对接下来扩产计划的态度。　　美光(Micron)　　同样受惠于智能手机厂商提升搭载容量的因素，美光在高容量的移动终端产品销售成长近一倍，这也与美光调整销售策略、更着重于提供解决方案以取代原本在渠道市场颗粒及Wafer的销售比重有关。而在SSD产品的销售上，美光亦有相当亮眼的表现，除继续拓展Enterprise SSD的销售力度以外，接下来更将着眼于QLC SSD产品，以求在高容量产品的位元出货进一步增加，美光第二季营收达19.4亿美元，较上季成长7.6%。　　英特尔(Intel)　　由于服务器SSD发挥稳健成长动能，英特尔第二季位元出货量仍季增逾15%，但受到出货产品线分布的差异，第二季低价产品出货的比重偏高，因此造成平均销售单价下滑逾6%左右，营收维持在10.8亿美元，较上一季成长6.8%。在3D-XPoint的部分，英特尔近期宣布将与美光在未来的产品规划及策略上分道扬镳，尽管目前多由英特尔主导，但若美光缺乏后续投资意愿，将使得3D-XPoint更难以吸引更多客户采用。
关键词：
发布时间：2018-08-21 00:00 阅读量：1515 继续阅读>>
<span style='color:red'>NAND Flash</span>品牌商Q2营收季增3.5%,惟Q3持续供过于求,价格将续跌近10%
行业新闻

NAND Flash品牌商Q2营收季增3.5%,惟Q3持续供过于求,价格将续跌近10%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，NAND Flash市场在2018年第一季受传统淡季影响，导致市场转为供过于求。第二季随着智能手机需求复苏、中国智能手机厂商提升高容量产品的备货力道，虽位元出货量获得支撑，然而，NAND Flash仍是供过于求，第二季平均价格跌幅达15-20%。展望第三季，尽管为传统旺季，但旺季不旺的现象明显，智能手机、笔记本电脑等主要消费性产品出货量的季度成长有限，加上模组厂库存水位高，DRAMeXchange分析师叶茂盛指出，供过于求态势将延续，使得各产品合约价第三季继续下探，NAND Flash价格平均跌幅预估将近10%。叶茂盛表示，价格下跌并非完全负面，透过价格适当的调整有利供货商优化产品硬件规格，移动终端市场已迎来一波调升搭载规格的风潮，128GB以上容量的搭载比重提升至逾10%。下半年受到OPPO、vivo及小米等中国厂商可望积极采用uMCP下，将继续推升中高端以上的机种搭载容量于明年上半年往256GB甚至512GB迈进。在SSD市场方面，NAND Flash价格的下调也使高容量服务器产品（8TB、16TB）出货可望增长，而在笔记本电脑方面则可见SSD搭载率随着价格下修而持续上升，搭载容量亦逐渐自128/256GB转往256/512GB。三星电子(Samsung)第二季在服务器与数据中心需求回稳以及中国智能手机往更高容量拓展的帮助之下，三星的位元出货量再度呈现近15%的季度成长，但受NAND Flash市场供过于求影响，价格持续下探，平均销售单价亦有逾10%的季度下跌，第二季营收为59.3亿美元，较上季成长1.8%。SK海力士(SK Hynix)同样受惠于中国智能手机厂商第二季的积极备货，以及SSD销售成长，SK海力士位元出货量得以恢复到19%的季度成长，然而市场的供过于求导致价格下跌，平均销售单价下滑9%，第二季营收达17.3亿美元，较上季成长11.8%。随着第二季底开始有苹果新机的备货动能支撑，加上搭载72层3D NAND的SSD产品逐渐发力，预计到年底前72层产品在SK海力士自家Enterprise SSD的出货占比可如预期突破50%。东芝记忆体(Toshiba)东芝第二季受益于智能手机需求略为回升及SSD销售的支撑，尽管在对模组厂出货方面受到库存偏高影响，出货比重有所调整，但整体位元出货仍达到逾10%的成长，惟因Wafer、SSD、eMMC/UFS合约价均走跌，平均销售单价下跌幅度略高于5%，营收达31.4亿美元，较上季成长3.3%。西数(Western Digital)在零售业务以及SSD产品的销售助力之下，西数第二季NAND Flash位元出货量季增约5%，但受到渠道产品以及SSD价格双双下滑所致，平均销售单价约下跌4%，第二季NAND Flash营收达23.7亿美元，季增0.3%。值得注意的是，西数特别在法说会中提及，基于市场状况正与东芝讨论明年资本投资规划。西数此举可能意味着扩产脚步将放缓，进而缓解NAND Flash市场进入更为严重供过于求的压力，而这也可能影响其他供货商对接下来扩产计划的态度。美光(Micron)同样受惠于智能手机厂商提升搭载容量的因素，美光在高容量的移动终端产品销售成长近一倍，这也与美光调整销售策略、更着重于提供解决方案以取代原本在渠道市场颗粒及Wafer的销售比重有关。而在SSD产品的销售上，美光亦有相当亮眼的表现，除继续拓展Enterprise SSD的销售力度以外，接下来更将着眼于QLC SSD产品，以求在高容量产品的位元出货进一步增加，美光第二季营收达19.4亿美元，较上季成长7.6%。英特尔(Intel)由于服务器SSD发挥稳健成长动能，英特尔第二季位元出货量仍季增逾15%，但受到出货产品线分布的差异，第二季低价产品出货的比重偏高，因此造成平均销售单价下滑逾6%左右，营收维持在10.8亿美元，较上一季成长6.8%。在3D-XPoint的部分，英特尔近期宣布将与美光在未来的产品规划及策略上分道扬镳，尽管目前多由英特尔主导，但若美光缺乏后续投资意愿，将使得3D-XPoint更难以吸引更多客户采用。
关键词：
发布时间：2018-08-17 00:00 阅读量：1485 继续阅读>>

跳转至

/ 2

热门分类
半导体 电路保护 机电产品 嵌入式解决方案 连接器，互连器件 传感器，变送器 光电元件 开发套件 测试与测量 电源 风扇，热管理 盒子，外壳，机架 电缆，电线 无源元件 其它
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

关于我们
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。